Especificaciones
- Retraso máximo de propagación: 3.5 ns
- Fmax = 250 MHz
- Máximo de la entrada del reloj a la salida de los datos: 3.0 ns
- Icc en dispositivo de bajo consumo: 75 mA
- Icc en el cuarto dispositivo de energía: 45 mA
- Lógica reconfigurable
- Células reprogramable
- Eliminación eléctrica de alta velocidad (<100ms)
- Retención de datos de 20 años
- Encapsulado DIP
- 20 pines
Sustituto
No Aplica
Circuito Integrado GAL16V8. Memoria Flash
Descripción
Circuito Integrado GAL16V8. Arreglo lógico programabe y borrable con un tiempo máximo de propagación de 3.5 ns, con tecnología CMOS de alto rendimiento con puerta flotante para proporcionar la velocidad más alta con un rendimiento disponible en el mercado PLD. Cuenta con tiempos de borrado de alta velocidad (100ms) que permite reprogramar los dispositivos de forma rápida y eficaz. La arquitectura genérica proporciona la máxima flexibilidad de diseño permitiendo que la lógica de salida Macrocell (OLMC) sea configurada por el usuario. Son capaces de emular cualquiera de las arquitecturas PAL con función / mapa fusible / compatibilidad paramétrica. Los circuitos de prueba únicos y las celdas reprogrammable permiten la CA completa, DC y pruebas funcionales durante la fabricación. Como resultado, Lattice semiconductor ofrece 100% de programación de campo y función de todos los productos GAL. Además, 100 ciclos de borrado / escritura y se especifica la retención de datos de más de 20 años.
