Especificaciones
- Alto rendimiento E2CMOS ® TECNOLOGÍA
- Máximo 4 ns Retardo de propagación
- Fmax = 250 MHz
- 3.5 ns máximo de entrada de reloj a la salida de datos
- UltraMOS ® Advanced CMOS Tecnología
- ACTIVE PULL-UPS EN TODOS LOS PINS
- compatible con los dispositivos 22V10
- Totalmente Función / Fusible-Map / Parametric Compatible
- con Bipolar y dispositivos UVCMOS 22V10
- 50% a un 75% de reducción de potencia frente BIPOLAR
- 90mA típico Icc en dispositivos de bajo consumo
- 45mA típico Icc en Dispositivo de alimentación Barrio
- E2 TECNOLOGÍA CELULAR
- Lógica Reconfigurable
- Las células reprogramables
- 100% Los rendimientos Tested/100%
- Erasure alta velocidad eléctrico (<100 ms)
- 20 años de retención de datos
- DIEZ macrocélulas salida lógica
- Máxima flexibilidad para los diseños lógicos complejos
- Y PRECARGA power-on reset DE REGISTROS
- Capacidad de prueba 100% funcional
- Las aplicaciones incluyen:
- Control de DMA
- Estado de control de unidades
- Alta velocidad de procesamiento gráfico
- Actualización Estándar Velocidad Lógica
- FIRMA ELECTRÓNICA PARA LA IDENTIFICACIÓN
- Encapsulado DIP
- 24 pines
Sustituto
No Aplica
Circuito Integrado GAL22V10. Memoria Flash
Descripción
Circuito Integrado GAL22V10D-15LP. Arreglo lógico programable y borrable. El GAL22V10, en el tiempo de retardo máximo de propagación 4ns, combina un proceso CMOS de alto rendimiento con borrable eléctricamente (E2) flotando tecnología de compuerta para proporcionar el máximo rendimiento disponible de cualquier dispositivo 22V10 en el mercado. Circuitos CMOS permite el GAL22V10 a consumir mucha menos energía en comparación con bipolares 22V10 dispositivos. E2 tecnología ofrece alta velocidad (<100 ms) Borrar tiempos, proporcionando la capacidad de reprogramar o reconfigurar el dispositivo de forma rápida y eficiente. La arquitectura genérica proporciona máxima flexibilidad de diseño por permitiendo la salida lógica macrocélula (OLMC) para ser configurado por
el usuario. El GAL22V10 es totalmente función del fusible / mapa / paramétrico compatible con estándar bipolar y dispositivos CMOS 22V10.
Circuitos de prueba único y células reprogramables permite completa AC, DC, y funcional pruebas durante la fabricación. Como resultado, Lattice Semiconductor proporciona 100% de programación de campo y la funcionalidad de todos los productos GAL. Además, 100 de borrado / escritura de ciclos y retención de los datos de más de 20 años se especifican.
