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Especificaciones

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): 35 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

 

Sustituto

IRF1010,RFP50N06,P60NF06,STP60NF06L

 

Hoja de datos

Transistor IRFZ44

$36.00Precio
  • Descripción

    • Estructura del transistor: MOSFET
    • Tipo de control de canal: N
    • Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor, W: 150
    • tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 60
    • Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs), V:
    • La puerta de la corriente máxima del transistor (Id), A: 35
    • Temperatura máxima (Tj), C: 150
    • Tiempo de subida (tr), nS:
    • Capacidad de flujo (Cd), pF:
    • Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm: 0.028



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