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Especificaciones

Polaridad: Canal- N
Tensión disruptiva: Vbr -25 V
Corr. de drenaje Idss mínima tensión puerta nula: 1 A
Corriente de drenaje Idss máxima, tensión de puerta nula: 5 mA
Tensión de vutoff gate-source Vgs(off) máxima: -6V
Tipo de Transisto: JFET
Temperatura de trabajo máximo: 125°C
Disipación de potencia Pd: 310 mW
Encapsulado TO-92
3 pines

Sustituto

NTE457

Hoja de datos

Transistor 2N5457

$28.00

Cantidad

Descripción

Transistor 2N5457 pequeña señal, de polaridad l N-canal JFET del silicio de 25V usado como amplificador de propósito general e interruptor.

TIEMPO DE ENTREGA

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